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（中央社記者 鍾榮峯 臺北20日電）人工智慧（AI）晶片整合HBM記憶體架構，對先進封裝需求強勁，臺積電強攻CoPoS並加速建置生態系，要超越既有CoWoS物理極限，玻璃核心基板能否加速量產良率，是重要關鍵，臺廠積極開發玻璃核心基板關鍵技術和CoPoS製程設備，力拚在AI晶片先進封裝領先。
臺灣經濟研究院產經資料庫總監劉佩真接受中央社記者訪問分析，臺積電攜手大廠積極推進CoPoS技術，並已建置試產線，這代表先進封裝賽局正式從「晶圓級」延伸至「面板級」與新材料的生態系爭霸。
劉佩真指出，玻璃基板與面板級封裝的結合，將是次世代高階AI GPU晶片的必然趨勢，臺積電提早結合面板與基板大廠構築生態系壁壘，正是為了領先英特爾（Intel）與三星（Samsung）。
臺積電在4月中旬線上法人說明會透露布局CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）先進封裝製程，預估幾年後可進入量產階段，引發市場高度矚目。
研調機構集邦科技（TrendForce）在6月17日分析，臺積電佈局CoPoS短期聚焦310x310mm基板尺寸，今年是相關設備與材料商驗證關鍵期，預計2027年進入試產，規劃2028下半年正式量產；下一階段佈局重點將轉向玻璃核心基板，預期量產時程落在2030年後。
業界傳出，臺積電可能透過旗下采鈺設立首條CoPoS實驗線，不排除在臺積電興建的臺灣嘉義先進封測七廠生產，目標規劃2028年底至2029年量產。
供應鏈業者評估，臺積電在亞利桑那州首座先進封裝廠預計2028年量產，第2座先進封裝廠預計2029年至2030年量產，其中可能包括佈局CoPoS封裝產線。
CoPoS封裝製程將使用到玻璃承盤（glass carrier），未來玻璃核心基板（Glass Core Substrate）加工通孔TGV（Through Glass Via）關鍵技術能否成熟，牽動玻璃基板效能與CoPoS量產良率。
法人分析，AI晶片異質整合封裝的尺寸持續擴大，臺積電原有CoWoS封裝圓形晶圓，面臨使用效益降低課題，且關鍵材料矽中介層（interposer）光罩尺寸受物理侷限，塑膠材質載板在AI晶片高功耗運轉下熱膨脹係數不一，面臨翹曲（warpage）等技術難題。
CoPoS「化圓為方」採用方形面板級封裝，擁有較高的面積利用率，透過導入物理特性佳的玻璃材質，可支援超大封裝尺寸；透過在封裝製程中採用玻璃面板承盤、或是玻璃核心基板整合其他載板架構、或是未來玻璃材質成為中介層設計，CoPoS可讓晶片封裝數量大增，成為臺積電在先進封裝領域維持領先的利器。
劉佩真分析，CoPoS採用化圓為方的面板級封裝，能將原本12吋圓形晶圓不足70%的材料利用率，大幅提升至90%以上，解決未來2028年後，超大型AI晶片因光罩尺寸極大化而帶來的幾何浪費與成本飆升問題。
此外，在CoPoS架構中導入玻璃核心基板，透過其優異剛性與電學特性，能讓封裝翹曲指標改善16%，並大幅降低電感與電阻值，突破傳統有機基板的物理極限。
玻璃材質儘管具備降低訊號傳輸損耗、提升高速訊號傳輸品質、熱膨脹差異小、減輕封裝翹曲問題等特性。不過產業人士提醒，玻璃屬於脆性材料，微小裂痕較容易擴大成重大缺陷，TGV關鍵技術難度高，玻璃基板上導線製程精度仍待提升，影響產品可靠度與生產良率，且相較矽晶圓材料，玻璃導熱能力較差，也增加AI晶片高功耗運作的散熱難度。
此外，玻璃基板相關設備、材料、製程技術及供應鏈，仍處於發展階段，產業生態系仍未如矽晶圓產業成熟，也是CoPoS及玻璃核心基板能否達到量產良率亟需克服的課題。
劉佩真表示，儘管目前仍有玻璃通孔填銅、大面積翹曲控制及初期良率等製程瓶頸待克服，但在未來2到3年內，這套技術一旦規模化量產，將徹底重塑半導體後段製程的價值鏈與競爭版圖。
臺廠正積極佈局CoPoS先進封裝相關製程設備應用，例如Manz亞智科技耕耘玻璃基板為基礎的TGV重布線（RDL）製程及蝕刻和電鍍設備；創新服務佈局銅柱玻璃通孔基板（TGV-ICP）模組產品，預計今年下半年完成驗證，規劃2027年量產。
此外，高階ABF載板濕製程設備廠敍豐開發玻璃基板與TGV製程設備；東捷科技結合子公司富臨科技，搶攻雷射製程與玻璃載板應用，佈局TGV玻璃通孔與重布層製程技術；暉盛科技開發玻璃蝕刻與表面處理解決方案；鈦昇佈局TGV雷射設備；宸鴻臺灣廠區投入TGV先進封裝玻璃載板試產線，預計今年7月建置完成。
法人評估，CoPoS其他關鍵製程設備仍以CoWoS供應鏈廠商為核心，例如辛耘和弘塑有機會切入CoPoS相關濕製程及清洗設備，致茂佈局CoPoS相關晶圓量測設備，印能科技耕耘CoPoS相關高壓真空除泡系統（VTS）及翹曲抑制系統（WSS），家登佈局相關傳載設備及載具。（編輯：張良知、萬淑彰）1150620
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臺積電攻CoPoS先進封裝 玻璃核心基板量產良率成關鍵 | 產經 | 中央社 CNA
說明事件的人事時地物與核心背景
AI 晶片為整合高頻寬記憶體（HBM）並提升運算效能，對先進封裝的尺寸、訊號傳輸、散熱與良率提出更高要求。臺積電正推進 CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）先進封裝，目標是在既有 CoWoS 技術之外，透過「化圓為方」的面板級封裝，提高材料利用率並支援更大封裝面積。相較於 12 吋圓形晶圓在大尺寸封裝上面臨使用效益下降，方形面板有助降低幾何浪費，成為因應高階 AI GPU 封裝需求的重要方向。
原文指出，臺積電已建置 CoPoS 試產線，並結合面板、基板與設備供應鏈打造生態系。研調機構預估，CoPoS 今年進入設備與材料驗證關鍵期，2027 年試產、2028 年下半年正式量產；下一階段重點將轉向玻璃核心基板，量產時程預期在 2030 年後。玻璃材料具備較佳剛性與電學特性，可降低訊號損耗、改善翹曲並支援高速傳輸，但玻璃屬脆性材料，通孔製程、導線精度、散熱與初期良率仍是挑戰。因此，玻璃核心基板能否加速突破量產良率，將成為臺積電鞏固 AI 晶片先進封裝領先地位的關鍵。
臺灣經濟研究院產經資料庫總監劉佩真指出，臺積電推進 CoPoS 並建置試產線，代表先進封裝競爭已從晶圓級延伸到面板級與新材料生態系。她認為，玻璃基板結合面板級封裝，將成為次世代高階 AI GPU 的重要趨勢；臺積電提前整合面板與基板大廠，是為了在英特爾、三星等競爭者前建立技術與供應鏈壁壘。集邦科技則估計，臺積電 CoPoS 短期聚焦 310x310mm 基板尺寸，今年是設備與材料商驗證關鍵期，2027 年進入試產，2028 年下半年量產；玻璃核心基板量產時程可能落在 2030 年後。
從數據與技術面看，CoPoS「化圓為方」可把 12 吋圓形晶圓不足 70% 的材料利用率，提高到 90% 以上，有助降低超大型 AI 晶片因光罩尺寸擴大造成的浪費與成本壓力。導入玻璃核心基板後，封裝翹曲指標可改善 16%，並降低電感與電阻，突破有機基板限制。不過，產業人士也提醒，玻璃屬脆性材料，TGV 玻璃通孔、填銅、大面積翹曲控制、導線精度與散熱能力仍是良率挑戰；設備、材料與製程供應鏈尚未成熟，也使量產穩定性成為 CoPoS 能否真正放大的關鍵。
臺積電推進 CoPoS，代表先進封裝競爭正從既有晶圓級製程，擴大到面板級封裝、玻璃材料與周邊設備的整體生態系。對 AI 晶片而言，隨著 GPU 與 HBM 記憶體整合需求升高，封裝尺寸、訊號品質、散熱與良率都成為限制效能與成本的關鍵。CoPoS 以「化圓為方」提升面積利用率，若能順利導入玻璃核心基板，有機會突破 CoWoS 在矽中介層尺寸、材料浪費與封裝翹曲上的瓶頸，讓臺積電在高階 AI 晶片供應鏈中維持領先位置。
不過，影響成敗的核心不只在技術概念，而在量產良率與供應鏈成熟度。玻璃具備低損耗、剛性佳與熱膨脹差異較小等優勢，但也有脆性高、微裂痕擴大、TGV 製程難度高、導線精度與散熱挑戰等問題。若相關設備、材料與製程無法在試產到量產階段穩定放大，CoPoS 的成本優勢與產能效益就會受到限制。
對臺灣產業鏈來說，這波轉向也帶來新一輪卡位機會。從玻璃通孔、重布線、蝕刻、電鍍、雷射、清洗到量測與載具，臺廠已有多家業者投入佈局，未來若臺積電量產時程逐步明朗，相關供應商有望受惠。但同時，英特爾與三星也在先進封裝領域追趕，臺積電能否把技術驗證轉化為穩定量產，將決定其在後段製程價值鏈中的主導權能否延續。
臺積電推進 CoPoS，不只是封裝尺寸放大的技術選項，也反映 AI 晶片競爭正從前段製程延伸到後段封裝與材料生態系。隨著高階 AI GPU 需要整合 HBM 記憶體，CoWoS 已成為關鍵產能，但圓形晶圓與矽中介層的物理限制，讓更大面積、更高材料利用率的面板級封裝受到重視。CoPoS「化圓為方」若能順利量產，將有助於降低超大型 AI 晶片封裝的幾何浪費與成本壓力，也讓臺積電在先進封裝領域維持領先。
不過，真正的勝負關鍵在於玻璃核心基板能否跨過量產門檻。玻璃材料具備低訊號損耗、剛性佳、可改善翹曲等優勢，適合支撐更大尺寸封裝；但玻璃脆性、TGV 通孔製程、導線精度、散熱與良率控制，都仍是量產前必須解決的難題。這也使 CoPoS 不只是臺積電單一公司的技術推進，而是牽動設備、材料、基板與面板廠共同建構新供應鏈。臺廠目前積極投入 TGV、重布線、蝕刻、電鍍、雷射與檢測等環節，若能在驗證與試產階段累積製程能力，未來有機會在 AI 晶片封裝升級潮中取得更高附加價值。
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臺積電攻CoPoS先進封裝 玻璃核心基板量產良率成關鍵 | 產經 | 中央社 CNA
分析影響、風險與後續觀察方向
臺積電推進 CoPoS 先進封裝，表面上是製程版圖從 CoWoS 延伸到面板級封裝，實際上反映的是 AI 晶片進入「封裝決定系統效能」的新階段。當 AI GPU 必須整合更多 HBM 記憶體、承載更高功耗與更大晶片面積，傳統以圓形晶圓為基礎的封裝方式，開始面臨面積利用率、光罩尺寸、矽中介層與有機基板物理特性的多重限制。CoPoS 以「化圓為方」提高材料利用率，並導入玻璃承盤或玻璃核心基板，正是為瞭解決超大型 AI 晶片封裝在成本、良率與可靠度上的瓶頸。因此，這不只是單一新技術的導入，而是先進封裝從晶圓級走向面板級、從矽材料邏輯走向新材料生態系的結構轉折。
問題在於，CoPoS 的關鍵不只在臺積電是否有能力設計出路線圖，而在整條供應鏈能否把玻璃材料變成可穩定量產的工業平臺。玻璃具備低訊號損耗、較佳電學特性與改善翹曲的潛力，但它也是脆性材料，微裂痕、TGV 加工、填銅、導線精度與散熱能力，都可能成為良率放大的風險來源。新聞中多家臺廠已投入 TGV、蝕刻、電鍍、雷射、清洗、量測與載具等設備，顯示臺灣正試圖把既有 CoWoS 優勢延伸到 CoPoS 生態系。然而，設備、材料與製程尚未像矽晶圓產業般成熟，代表競爭焦點將從「誰先宣佈量產時程」轉向「誰能率先穩定良率、降低成本並建立可靠供應鏈」。對臺積電而言，CoPoS 若成功，將強化其在 AI 晶片後段整合的主導權；若玻璃核心基板量產良率遲遲無法突破，則可能讓量產時程、客戶導入與成本優勢同步承壓。
臺積電推進 CoPoS，表面上是先進封裝技術路線的延伸，實際上反映 AI 晶片競賽已從單一製程節點，進入「封裝尺寸、材料特性、供應鏈成熟度」共同決勝的階段。隨著 AI GPU 必須整合更多 HBM 記憶體，既有 CoWoS 雖仍是高階晶片關鍵產能，但圓形晶圓的面積利用率、矽中介層光罩限制，以及有機載板在高功耗下的翹曲問題，都使業界必須尋找下一代解法。CoPoS 以面板級封裝「化圓為方」，搭配玻璃承盤或玻璃核心基板，正是為了支撐更大封裝面積與更高訊號品質，讓先進封裝不只是產能擴張，而是架構升級。
不過，這條路線的關鍵不在概念是否先進，而在量產良率能否跨過門檻。玻璃具備低訊號損耗、剛性佳、熱膨脹差異較小等優勢，但也因脆性材料特質，讓微裂痕、通孔加工、填銅、重布線精度與大面積翹曲控制都成為製程風險。對臺積電而言，若 CoPoS 能在 2028 年前後完成試產至量產轉換，並在 2030 年後銜接玻璃核心基板，將有助於延續其在 AI 晶片封裝的主導權；但若良率、可靠度或散熱問題拖慢進度，成本優勢就可能被製程複雜度抵銷。
因此，這場競爭不只是臺積電與英特爾、三星之間的技術比拚，也是臺灣設備、材料與載板供應鏈能否升級的壓力測試。原文提到多家臺廠已切入 TGV、雷射、蝕刻、電鍍、清洗、量測與載具等環節，顯示臺灣正嘗試把 CoWoS 時代累積的後段製程能量，擴展到玻璃與面板級封裝的新生態。若生態系能跟上臺積電節奏，CoPoS 將不只是單一封裝技術，而可能成為臺灣在 AI 硬體供應鏈中維持高附加價值的新防線。
CoPoS與玻璃核心基板被視為臺積電延伸先進封裝領先地位的重要路徑，但其風險不在需求端，而在量產可行性與供應鏈成熟度。AI晶片封裝尺寸持續放大，確實讓「化圓為方」的面板級封裝具備降低材料浪費、提高面積利用率的誘因；然而，從試產線、設備材料驗證，到2027年試產、2028年後量產，仍是一段高度不確定的工程轉換期。尤其玻璃核心基板預期量產時程落在2030年後，代表短中期內CoPoS仍可能先以玻璃承盤或其他過渡架構推進，真正導入玻璃核心基板的節奏，將取決於TGV、重布線、翹曲控制與可靠度驗證能否同步突破。
最大技術風險來自玻璃材料本身。玻璃具備較佳剛性與電學特性，有助降低訊號損耗與改善翹曲，但脆性高、微裂痕容易擴大，會放大製程良率與長期可靠度壓力；同時，玻璃導熱能力不如矽晶圓，對高功耗AI晶片散熱設計形成額外挑戰。若TGV填銅、大面積製程均勻性、導線精度與缺陷檢測未能達到穩定量產水準，即使封裝架構具備理論優勢，也可能因成本、報廢率或交期不穩而延後商用放量。
供應鏈風險同樣不可低估。原文提及多家臺廠投入玻璃基板、TGV、濕製程、雷射、清洗、量測與載具等設備，但這也意味著生態系仍在形成階段，尚未像矽晶圓與既有CoWoS供應鏈般成熟。臺積電雖可藉由提早整合設備、材料與面板基板廠建立壁壘，但若關鍵設備驗證進度不一、材料規格尚未收斂，或客戶對可靠度要求高於預期，都可能拉長導入週期。換言之，CoPoS的戰略價值明確，但短期不宜視為已確定接棒CoWoS的成熟方案；它更像是一場先卡位、再用良率證明可行性的長期競賽。
對臺積電與臺灣供應鏈而言，CoPoS不是單一製程升級，而是先進封裝從晶圓級走向面板級後，材料、設備、基板與良率管理同步重整的系統工程。短期應優先把焦點放在試產驗證與製程穩定性，而非過早以量產時程作為唯一指標。玻璃承盤、玻璃核心基板、TGV通孔、重布線、蝕刻、電鍍、雷射加工與翹曲控制等環節，都會牽動最終可靠度；任何一段若無法穩定放大，都可能使「化圓為方」帶來的面積利用率優勢，被初期良率與維修成本抵銷。因此，臺廠設備與材料業者應盡早與臺積電、基板及面板廠建立共同驗證規格，累積量產前的製程資料與缺陷資料庫，避免各自開發卻難以銜接主流產線需求。
後續觀察重點，首先是臺積電CoPoS試產線的進度，以及相關設備、材料商能否在今年至2027年前後完成關鍵驗證；其次是玻璃核心基板在TGV填銅、導線精度、大面積翹曲與散熱限制上的改善速度。若這些瓶頸能逐步被控制，CoPoS將有機會承接2028年後更大型AI晶片封裝需求，並強化臺積電相對英特爾、三星的生態系領先。不過，市場也不宜把玻璃基板視為立即取代既有載板的答案；在供應鏈成熟度、可靠度驗證與成本曲線尚未明朗前，CoWoS與CoPoS很可能會有一段並行期。對投資人與產業決策者來說，真正值得追蹤的不是單一公司題材，而是哪些廠商能在量測、清洗、濕製程、雷射、載具與翹曲抑制等關鍵節點取得可重複驗證的量產能力，這纔是臺灣能否把AI封裝需求轉化為長期競爭優勢的核心。